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- [发明专利]半导体结构制作方法及半导体结构-CN202110004433.4在审
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曹新满;刘忠明;夏军;白世杰
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长鑫存储技术有限公司
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2021-01-04
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2022-07-08
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H01L27/108
- 本发明实施例属于半导体制作技术领域，涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构，用于解决边缘区对应的第二图形转移层厚度与核心区对应的第二图形转移层厚度差较大，会对后续制程造成影响的问题。该半导体结构制作方法包括：在导电层上形成第一图形转移层；在第一图形转移层上形成具有第一孔形图案的第一掩膜层，以第一掩膜层为掩膜蚀刻第一图形转移层以形成第一孔洞；形成第二图形转移层。第一图形转移层形成第一孔洞，在通过旋转涂布的方式形成第二图形转移层时，填充在第一孔洞内的第二图形转移层较少，位于第一图形转移层上的第二图形转移层较多，可以降低核心区和边缘区内第二图形转移层的厚度差，进而避免影响后续制程
- 半导体结构制作方法
- [发明专利]物联网和安全芯片的关联匹配系统-CN202210651394.1在审
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陈燕;柳建勇;陈魁
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深圳市一卓科技有限公司
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2022-06-10
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2022-09-16
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G06F21/71
- 本发明公开了物联网和安全芯片的关联匹配系统，包括物联网采集设备，物联网采集设备用于获取与之匹配的物联网设备存储的数据；数据关联模块，数据关联用于生成数据的转移图形和安全芯片的安全图形；转移选择模块，转移选择模块用于匹配转移图形和安全图形，当转移图形和安全图形相匹配时，则安全图形对应的安全芯片为转移芯片；路径选择模块，路径选择模块用于选取数据转移至转移芯片的路径，完成关联匹配，通过对安全芯片和物联网的关联匹配可以更精准的为物联网数据选取合适的安全芯片，并且通过构建转移图形和安全图形，可以对选取的过程进行量化，保证每次选取的安全芯片都是最合适的。
- 联网安全芯片关联匹配系统
- [发明专利]半导体器件的制作方法-CN201910971630.6有效
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孙正庆;徐朋辉
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长鑫存储技术有限公司
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2019-10-14
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2022-05-06
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H01L21/8242
- 该方法包括在存储单元阵列区和周边电路区中的第一绝缘介质层中定义出源/漏接触孔隔离沟槽；形成与第一绝缘介质层表面齐平的第二绝缘介质层；在存储单元阵列区和周边电路区表面形成图案转移层分步图形化存储单元阵列区的图案转移层和周边电路区的图案转移层，形成存储单元阵列区待转移图形和周边电路区待转移图形，且存储单元阵列区待转移图形和周边电路区待转移图形之间存在正高度差；以存储单元阵列区待转移图形和周边电路区待转移图形为窗口，去除相邻源/漏接触孔隔离沟槽之间的以及周边电路区中的第一绝缘介质层，在存储单元阵列区形成源/漏接触孔图形，并在周边电路区形成源/漏接触孔图形。
- 半导体器件制作方法
- [发明专利]IC焊盘中间开槽的印制电路板生产工艺-CN201911315188.8有效
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张军;黄江波
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黄石星河电路有限公司
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2019-12-19
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2021-01-26
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H05K3/00
- 一种IC焊盘中间开槽的印制电路板生产工艺，涉及电路板技术领域，该工艺包括：锣板前序步骤；一次锣板；针对电路板的IC区域做锣板开槽；磨板；第一次图形转移；针对电路板的IC焊盘位置及开槽位置，进行湿墨图形转移；第二次图形转移；针对电路板除IC焊盘位置及开槽位置之外的其他位置，进行干膜图形转移；其中，第二次图形转移的图形与第一次图形转移的图形连接；图形电镀；碱性蚀刻；蚀刻后续步骤。本申请在一次锣板之后，增加了砂带磨板工序，保证IC脚的平整性；针对IC区域采用湿墨进行图形转移，其他区域采用干膜进行图形转移，由于湿墨与板面的结合力优于干膜与板面的结合力，能够避免电镀过程中因药水造成短路现象及
- ic中间开槽印制电路板生产工艺
- [发明专利]一种复合PET软膜及其制备方法-CN202111037116.9在审
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宋崇顺;史晓华
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南昌光澜半导体有限公司
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2021-09-06
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2022-01-14
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G03F7/00
- 本发明涉及了一种复合PET软膜及其制备方法，复合PET软膜的制备方法包括：母板涂光刻模具胶，使其覆盖且高于图形结构、形成光刻胶层，图形结构面积小于母板面积五分之三；PET软膜上划分两个以上图形转移区；防紫外线薄膜上开设一个透光区；将图形转移区、透光区、图形结构在竖直方向上依次对齐，PET软膜与光刻胶层相互贴合；竖直对PET软膜曝光，使透光区内光刻胶层固化、形成转移图案结构；将PET软膜、防紫外线薄膜完成脱模；将PET软膜下一个图形转移区对准图形结构，依次重复上述步骤，直至所有图形转移区均完成图形转移。通过上述设置，可解决目前通过母板制备复合软模时图案结构转移效率低而影响最终产量的问题。
- 一种复合pet及其制备方法
- [发明专利]数据转移方法、移动终端及数据转移系统-CN201410682773.2有效
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邝俊斌
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腾讯科技（深圳）有限公司
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2014-11-24
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2015-04-01
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G06F3/0487
- 本发明实施例公开了一种数据转移方法、移动终端及数据转移系统，其中一种数据转移方法包括：获取用户输入的数据转移语音指令；根据所述数据转移语音指令，向预先建立通讯连接的第二移动终端发送数据转移触发请求，以使所述第二移动终端根据所述数据转移触发请求向数据转移服务器发送数据转移信息请求；接收所述第二移动终端发送的数据转移图形码，所述数据转移图形码是所述第二移动终端根据所述数据转移服务器返回的数据转移信息获取到的；显示所述数据转移图形码，用以让数据转移对象终端通过扫描所述数据转移图形码，向所述数据转移服务器发起数据转移请求。采用本发明，可以提高数据转移的安全性。
- 数据转移方法移动终端系统
- [发明专利]一种复合PET软膜及其制备方法-CN202111037117.3在审
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宋崇顺;史晓华
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南昌光澜半导体有限公司
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2021-09-06
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2022-01-14
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G03F7/00
- 本发明涉及了一种复合PET软膜及其制备方法，复合PET软膜的制备方法包括：母板涂光刻模具胶，使其覆盖且高于图形结构、形成光刻胶层，图形结构面积大于或等于母板面积五分之三；PET软膜上划分两个以上图形转移区；在防紫外线薄膜上开设透光区；将图形转移区、透光区、图形结构三者在竖直方向上依次对齐，PET软膜与光刻胶层在透光区位置相互贴合；竖直对PET软膜曝光，使透光区内光刻胶层固化、形成转移图案结构；将PET软膜完成脱模；将PET软膜下一个图形转移区对准母板，依次重复上述步骤，直至所有图形转移区均完成图形转移。通过上述设置，可解决目前通过母板制备复合软模时图案结构转移效率低而影响最终产量的问题。
- 一种复合pet及其制备方法
- [发明专利]一种图形转移方法-CN201510648838.6有效
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罗巍
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北京北方华创微电子装备有限公司
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2015-10-09
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2019-10-29
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H01L21/027
- 本发明提供了一种图形转移方法，用于将特征图形转移至衬底上，包括：S1，在衬底上形成光刻胶层，采用构图工艺将特征图形转移至光刻胶层上，形成光刻胶图形；S2，开启刻蚀腔室的激励电源和偏压电源，偏压电源为等离子体浸没离子注入工艺对应的第一偏压电源，对光刻胶图形进行等离子体浸没离子注入工艺，而后关闭第一偏压电源；S3，在刻蚀腔室内对表面形成有光刻胶图形的衬底进行等离子体刻蚀工艺，直至特征图形转移至衬底上。该图形转移方法，可实现原位降低光刻胶图形的线条的线宽粗糙度，不仅在很大程度上简化工艺、缩短工艺时间，减小设备成本；而且还可以进一步降低光刻胶图形的线条的线宽粗糙度，从而有利于图形的准确地转移至衬底上。
- 一种图形转移方法
- [发明专利]一种图形形成方法-CN201911075391.2有效
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石夏雨
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长鑫存储技术有限公司
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2019-11-06
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2022-06-10
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H01L21/308
- 本发明提供一种图形形成方法，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成图形转移层，所述图形转移层包括第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层沿平行于所述衬底的方向交替排列延伸；在所述图形转移层上形成第一图形窗口，所述第一图形窗口至少暴露出部分所述第一材料层或至少暴露出部分所述第二材料层；沿所述第一图形窗口蚀刻所述第一材料层或所述第二材料层，在所述图形转移层中形成第二图形窗口；沿所述第二图形窗口，刻蚀所述衬底，图形化所述衬底。
- 一种图形形成方法
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